【半導体】GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か

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http://eetimes.jp/ee/articles/1506/25/news066.html
GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。

GLOBALFOUNDRIESのディレクタ兼設計エンジニアであるGerd Teepe氏が、フランスCEA-Leti（フランス原子力庁の電子情報技術研究所）主催のFD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）ワークショップに姿を現した。
同氏が参加したということは、GLOBALFOUNDRIESが近々、FD-SOIに関する重大な発表を行うのではないかといううわさが、信ぴょう性を帯びてくる。

　Teepe氏は、GLOBALFOUNDRIESのFD-SOIに関する今後の予定について、概要を明らかにした。同社のFD-SOI関連の重要な計画については、これまでしばしば外部に漏れていたが、同社は決してそれを認めようとはしなかった。
しかし、Teepe氏が今回、正式ではないにしろ発表を行ったことで、その件を暗に認めたことになる。

　Teepe氏は今回、はっきりしない状況を表向きには終わらせようと、フランスのグルノーブルに赴いたようだ。
2016年の量産開始を目指す

　同氏は、「GLOBALFOUNDRIESは現在、22nm FD-SOIプロセス技術の開発に取り組んでいる。2016年初頭までには同プロセス技術を実現し、2016年末までに量産を開始することを目指す」と述べる。
また同氏は、22nm FD-SOIプロセス技術において必要な点について問われると、「フロントエンドではSTMicroelectronicsの14nm FD-SOIを、バックエンドでは28nm FD-SOIをそれぞれ採用する」と答えている。

　GLOBALFOUNDRIESは、FD-SOIの最初の顧客層として、SoC（System on Chip）の量産を手掛ける開発メーカーを想定しているようだ。T
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