【経済】東芝、2014年度以降も半導体事業に2000億円規模の投資継続　サムスン電子に対抗

しろくま ★＠＼(^o^)／

［四日市市　９日　ロイター］ - 東芝の田中久雄社長は９日、２０１４年度以降も２０００億円規模の
半導体投資を継続する方針を示した。スマートフォンや企業のデータセンターの市場拡大で、
大半をＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産する四日市工場（三重県四日市）の増産投資に充てる。

２０１３年度の半導体投資も２０００億円。同日、四日市工場で記者会見した田中社長は、世界のストレージ
（記憶装置）市場は「２０２０年に現行の１０倍に膨らむ」（田中社長）との見通しを示し、今後も、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの増産投資を続ける意向を示した。

すでに四日市工場では、９月に第５棟の拡張を完了し、世界最小の回路線幅となる１５ナノ（ナノは１０億分の１）
メートル製品の増産を開始した。さらに、第２棟の建て替え工事を１５年夏に一部完成させる計画で、同年度
後半から、記憶素子を積層化する「３次元（３Ｄ）」構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産を始める。

四日市工場において、製造装置を折半で投資している米サンディスクは、２００２年以降、
同工場への累積投資額が９０００億円となった。記者会見に同席したサンディスクのサンジェイ・メロートラ
ＣＥＯ（最高経営責任者）は「われわれは日本における投資額が最も大きな米国企業だ」と述べ、
今後も四日市工場への投資を継続する方針を示した。

東芝・サンディスクの連合で、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー首位の韓国サムスン電子に対抗する。サムスンは
今年５月、３次元メモリー専用の中国・西安工場の稼働を開始したが、田中社長は「（サムスンの３次元メモリーよりも）
われわれの１５ナノ製品の方がコスト競争力で勝っていると確信している」と強調。
現行は、２次元構造の１５ナノ製品で対抗し、来期に量産する東芝の３次元メモリーで、サムスンを上回る
積層構造を目指していく方針を示した。

(村井令二　編集：吉瀬邦彦)

http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPKBN0H40JU20140909

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